封口型单壁碳纳米管电子结构的密度泛函研究

• 作者: TERENCE KSW TSUKADAM 何道伟 王利光 闫雨桐
• 来源期刊: 黑龙江大学工程学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 密度泛函 封口型单壁碳纳米管 电子传输 态密度
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 学术专题
• 页码范围: 45-48
• 分类号: O482.4
• 字数: 2536字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-008X.2011.03.006

摘要

采用密度泛函(DFT)的B3LYP基组和非平衡格林函数方法对封口型单壁碳纳米管及在碳纳米管外接Au电极的纳米器件的量子结构、密利根电荷分布、电子传输和态密度等特性进行了理论研究.结果发现HOMO (Highest Occupied Molecular Orbital)和LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)间的能隙Eg=0.973 8 eV,呈现半导体特征；态密度与电子输运谱具有很好的对应关系；电子输运主要集中在能量E＜O.O eV的区域.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王利光	江南大学理学院	75	142	6.0	7.0
2	何道伟	江南大学理学院	9	6	1.0	1.0
3	闫雨桐	江南大学理学院	5	20	2.0	4.0
4	TERENCE KSW	新加坡南洋理工大学电气与电子工程学院	1	0	0.0	0.0