Si(100)衬底上CeO2薄膜的脉冲激光制备及性能研究

• 作者: 张心强 杨志民 陈勇
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: CeO2 薄膜 脉冲激光沉积(PLD)
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 709-714
• 分类号: TB43|TB34|TN305.8
• 字数: 3109字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2011.05.015

摘要

用CeO2陶瓷靶材,使用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(100)衬底上制备了CeO2薄膜.研究了衬底温度、沉积氧压对薄膜性能的影响,实验制备出了高度(111)取向的CeO2薄膜.使用X射线衍射(XRD)、反射式高能电子衍射(RHEED)对薄膜进行晶体结构的表征.结果表明:随着衬底温度的增加,薄膜中的残余宏观应力(拉应力)及微观应力逐渐减小,薄膜结晶质量不断提高,而沉积氧压对此影响较小.RHEED图像显示使用PLD方法在Si衬底上沉积的薄膜具备较高的结晶性及原子级平整的表面.使用原子力显微镜(AFM)对样品进行表面粗糙度分析,发现不同温度下生长的薄膜均具有光滑的表面,方均根粗糙度(RMS)均在0.4 nm以下.使用Keithley 4200半导体测试仪、椭偏仪对薄膜进行电性能及光学性能分析,发现衬底温度对薄膜的电学性能有显著影响,并且CeO2薄膜结晶状态与电学性能有直接的联系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈勇		9	51	4.0	7.0
2	杨志民		40	363	9.0	17.0
3	张心强		7	21	2.0	4.0