InGaAs/GaAs异质薄膜的MBE生长研究

• 作者: 丁召 何浩 周勋 杨再荣 罗子江 贺业全 邓朝勇
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: MBE RHEED STM InGaAs异质薄膜
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 846-849
• 分类号: TN3|O47
• 字数: 2543字
• 语种: 中文

摘要

利用分子束外延技术,在GaAs(001)基片上外延InGaAs/GaAs异质薄膜,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,确定薄膜中In/Ga的组分比,并提出控制InGaAs薄膜中In/Ga组分比的生长方法.根据RHEED图像,指出获得的InGaAs薄膜处于(2×3)表面重构相.样品经过淬火至室温后对样品做STM扫描分析,证实样品为表面原子级平整的InGaAs/GaAs异质薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗子江	贵州大学理学院	46	63	4.0	6.0
5	周勋	贵州大学理学院	18	49	4.0	6.0
7	丁召	贵州大学理学院	67	161	6.0	8.0
10	邓朝勇	贵州大学理学院	62	194	9.0	12.0
11	杨再荣	贵州大学理学院	8	31	3.0	5.0
12	贺业全	贵州大学理学院	4	25	2.0	4.0
13	何浩	贵州大学理学院	4	25	2.0	4.0