表面离化源工作参数对离子迁移率谱的影响

• 作者: 何秀丽 张德馨 李建平 贾建 高晓光
• 来源期刊: 分析化学
• 学科: 化学
• 关键词: 离子迁移率谱仪 表面离化 离子门 三乙胺
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 所属期刊栏目: 仪器装置与实验技术
• 页码范围: 1491-1495
• 分类号: O657
• 字数: 3029字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1096.2011.01491

摘要

根据表面离化过程中样品分子在离化材料表面直接离化的特点,设计了一种样品离化和离子注入一步完成的面-网结构表面离化源.以金属钼为离化材料,三乙胺为测试样品,研究了离化源温度、离子门开门脉冲宽度和高度对离子谱图的影响.结果表明,离子流信号强度随离化温度升高迅速增强但离化源寿命缩短,理想的离化温度约为400℃；增加开门脉冲宽度和高度有利于提高系统响应灵敏度,但会降低分辨率,合适的脉冲宽度和高度分别为100 μs和500 V.该离化源制作简单,性能稳定,工作寿命长,在优化的工作参数下三乙胺的检出限＜0.04 mg/m3.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李建平	中国科学院电子学研究所传感技术联合国家重点实验室	251	4235	35.0	54.0
2	何秀丽	中国科学院电子学研究所传感技术联合国家重点实验室	83	492	10.0	19.0
3	高晓光	中国科学院电子学研究所传感技术联合国家重点实验室	52	248	9.0	13.0
4	贾建	中国科学院电子学研究所传感技术联合国家重点实验室	43	151	7.0	9.0
5	张德馨	中国科学院电子学研究所传感技术联合国家重点实验室	2	2	1.0	1.0