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摘要:
对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同偏置条件下进行60Co-γ辐照效应和退火特性研究.结果显示:基区掺杂浓度不同,NPN双极晶体管辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤要明显大于高基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤;偏置条件不同,晶体管辐照响应也有很大差别,反向偏置辐照NPN晶体管参数退化较正向偏置严重.并对对实验现象的相关机理进行了分析.
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内容分析
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关键词热度
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文献信息
篇名 不同偏置条件下基区掺杂浓度对NPN双极晶体管电离辐照的影响
来源期刊 核技术 学科 工学
关键词 NPN双极晶体管 60Co-γ辐照 基区掺杂浓度 辐照偏置
年,卷(期) 2011,(3) 所属期刊栏目 低能加速器技术、射线技术及应用
研究方向 页码范围 205-208
页数 4页 分类号 TN322+.8
字数 3882字 语种 中文
DOI
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NPN双极晶体管
60Co-γ辐照
基区掺杂浓度
辐照偏置
研究起点
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期刊影响力
核技术
月刊
0253-3219
31-1342/TL
大16开
上海市800-204信箱
4-243
1978
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