IGBT关断瞬态电压尖峰影响及抑制

• 作者: 唐勇 汪波 胡安 陈明
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘栅双极晶体管 关断瞬态 电压尖峰 栅极电阻 失效机理
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 501-504
• 分类号: TN322.8
• 字数: 3081字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.07.002

摘要

绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种性能优良的全控型电力电子器件,由于线路和器件内部分布电感的存在,关断时集电极电流的快速变化会感应产生一个较大的电压尖峰从而引起过电压击穿.分析了栅极结电容放电时间常数和拖尾电流对电压尖峰的影响,通过改变栅极驱动电阻和温度可以抑制电压尖峰.分析了电压尖峰引起过压击穿的失效机理以及失效模式,表明IGBT过压击穿引起失效的本质仍然是结温过高引起的热击穿失效.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡安	海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室	47	1089	14.0	32.0
2	陈明	海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室	22	755	15.0	22.0
3	汪波	海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室	20	480	13.0	20.0
4	唐勇	海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室	26	632	14.0	25.0