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摘要:
在MEMS执行器的设计中,求出准确的Pull-in参数是至关重要的。在过去的研究中,对于漏电场不能忽略的平行平板式静电微执行器,通常只能采用有限元法数值求解。但是,有限元法繁琐、费时而且不直观。平行平板电容器的漏电容解析模型通常有两种:一种简单的;一种详细的。基于这两种漏电容解析模型,分别导出了漏电场不能忽略的平行平板式微执行器的Pull-in失稳方程,并将求解结果与ANSYS耦合场分析结果做了对比。结果表明,基于详细漏电容模型的结果精度良好,而且相对误差不随着极板间距的增大而增大。基于简单漏电容模型的结果精度太低,尤其在极板间距较大时。
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文献信息
篇名 考虑边缘效应的平行平板式静电微执行器Pull-in模型
来源期刊 传感技术学报 学科 工学
关键词 MEMS Pull-in 微执行器 边缘效应
年,卷(期) 2011,(6) 所属期刊栏目 物理类传感器
研究方向 页码范围 848-852
页数 分类号 TN402|TN405
字数 4176字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-1699.2011.06.014
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李普 东南大学机械工程学院 47 540 15.0 21.0
2 方玉明 南京邮电大学电子科学与工程学院 52 140 6.0 8.0
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微执行器
边缘效应
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期刊影响力
传感技术学报
月刊
1004-1699
32-1322/TN
大16开
南京市四牌楼2号东南大学
1988
chi
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6772
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