极化效应对InGaN/GaN多量子阱结构光电特性的影响

• 作者: 路慧敏 陈根祥
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InGaN/GaN 极化效应 多量子阱 自发辐射谱
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 266-271
• 分类号: O472.3|O472.4
• 字数: 3648字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20113203.0266

摘要

通过求解修正的基于k·p方法的有效质量哈密顿方程并与泊松方程进行自洽,得到在极化效应影响下InGaN/GaN多量子阱的能带结构和自发辐射谱.计算结果表明,极化效应使InGaN/GaN多量子阱结构的带边由方形势变成三角形势,使导带和价带间的带隙宽度减小导致发光峰值波长红移,并使电子和空穴的分布产生空间分离从而减小发光效率.同时,随着InGaN/GaN多量子阱结构阱层In组分的增多或阱层宽度的增加,极化效应带来的发光峰值波长红移效果进一步增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈根祥	北京交通大学光波技术研究所	20	171	9.0	12.0
2	路慧敏	北京交通大学光波技术研究所	3	19	2.0	3.0