脉冲功率电路参数对RSD开关预充时间的影响研究

• 作者: 余岳辉 彭亚斌 梁琳
• 来源期刊: 通信电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: 反向开关晶体管 脉冲功率技术 磁开关
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 研制开发
• 页码范围: 5-8
• 分类号: TN46
• 字数: 2183字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-3664.2011.05.002

摘要

文章介绍了高功率半导体脉冲功率开关-反向开关晶体管（Reversely Switched Dynistor,RSD）的工作原理,分析了RSD脉冲功率电路的特性。由磁开关的电压电流,得到了磁开关的动态电感与电流的量化曲线,在MATLAB仿真平台,分别建立了磁开关动态电感模型、RSD脉冲功率电路模型。计算了主回路元件参数对RSD开关的预充时间TR的影响。计算结果表明,主回路电阻负载在0.01～1Ω变化时,TR变化很小,主回路电感和1Ω以上的主回路电阻对TR影响较明显,计算结果与实验结果最大误差为5%,表明通过低压试验结果的计算,可较准确地预测高压试验的TR。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁琳	华中科技大学电子科学与技术系	39	240	8.0	14.0
2	余岳辉	华中科技大学电子科学与技术系	60	621	14.0	22.0
3	彭亚斌	华中科技大学电子科学与技术系	9	61	5.0	7.0