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摘要:
隧穿结是影响三结砷化镓叠层太阳电池性能的关键因素.从隧穿结导致三结电池性能曲线异常的问题出发,数学模拟了GaInP2微结构有序性对宽带隙AlGaAs/GaInP2隧穿结的影响.由此设计了合理的隧穿结,使三结砷化镓叠层太阳电池的性能得到改善.
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文献信息
篇名 三结砷化镓叠层太阳电池中的宽带隙隧穿结研究
来源期刊 云南师范大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 宽带隙隧穿结 晶格有序性 三结砷化镓 叠层太阳电池
年,卷(期) 2011,(1) 所属期刊栏目 特约稿
研究方向 页码范围 9-14
页数 分类号 TK511
字数 2772字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-9793.2011.01.003
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研究主题发展历程
节点文献
宽带隙隧穿结
晶格有序性
三结砷化镓
叠层太阳电池
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
云南师范大学学报(自然科学版)
双月刊
1007-9793
53-1046/N
大16开
云南昆明市一二一大街298号
64-74
1958
chi
出版文献量(篇)
2229
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