射频磁控溅射制备c轴取向LiNbO3薄膜研究

• 作者: 刘技文 安玉凯 左长云
• 来源期刊: 天津理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: LiNbO3薄膜 c轴取向 射频磁控溅射
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 页码范围: 1-4
• 分类号: TG17
• 字数: 1941字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-095X.2011.04.001

摘要

采用射频磁控溅射技术,用富Li的LiNbO3靶材在Si(100)和Si(111)基底上制备了LiNbO3薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)对LiNbO3薄膜的结晶程度、晶体取向和表面形貌及薄膜与基底结合处的界面结构进行了研究.结果表明:样品在空气中经1 000℃退火1h处理后,薄膜与Si基底界面处有SiO2生成,得到的LiNbO3薄膜结晶性好,具有高c轴取向,晶粒排列致密且粒径尺寸均匀.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘技文	天津理工大学天津市光电显示材料与器件重点实验室	25	91	5.0	8.0
2	安玉凯	天津理工大学天津市光电显示材料与器件重点实验室	8	11	2.0	3.0
3	左长云	天津理工大学天津市光电显示材料与器件重点实验室	1	0	0.0	0.0