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摘要:
主要引入载流子的有效迁移率和有效扩散长度两个物理量,对多晶硅的少子寿命进行数值模拟.在此基础上建立了多晶硅太阳电池的一维物理模型,采用数值模拟方法对其在AM1.5太阳光入射下的电池输出特性Lsc、Voc、FF和η进行模拟计算,着重分析了晶粒尺寸和基区少子寿命对多晶硅太阳电池性能的影响.模拟结果表明,晶粒尺寸和少子寿命是影响多晶硅太阳电池性能的两个关键因素.当少子寿命较低时,晶粒尺寸对电池效率的影响不大,此时电池效率的提高受限于少子寿命;当少子寿命增大时,电池效率随晶粒尺寸的增大显著提高.同时,从模拟结果可得到电池效率与少子寿命和晶粒尺寸之间的定量关系.
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文献信息
篇名 多晶硅太阳电池少子寿命的数值模拟
来源期刊 太阳能学报 学科 工学
关键词 多晶硅太阳电池 少子寿命 晶粒尺寸 数值模拟
年,卷(期) 2011,(9) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1403-1407
页数 分类号 TM914.4+1|TM61
字数 3351字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈朝 厦门大学物理系 63 420 11.0 18.0
5 张妹玉 闽江学院物理学与电子信息工程系 12 17 3.0 3.0
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多晶硅太阳电池
少子寿命
晶粒尺寸
数值模拟
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太阳能学报
月刊
0254-0096
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大16开
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1980
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