N2O气氛退火对SONOS非易失性存储器性能的优化研究

• 作者: 周群 曹刚 李曦 林钢 沈国飞 石艳玲
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: SONOS(硅/二氧化硅/氮化硅/二氧化硅/硅) 退火工艺 电荷保持性能 界面态
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 36-39
• 分类号: TP333.5
• 字数: 1630字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2011.01.009

摘要

SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)型非易失性存储器件的电荷保持能力与Si-SiO2界面态的质量密切相关.通过在SONOS的隧穿氧化层工艺流程中增加适当的N2O退火工艺,改善了器件的擦除深度和编程速度,从而使得SONOS器件的存储器性能得到优化.通过进一步电荷泵测试表明,电荷泵电流值Icp由1.8×10-6A减小到1.3x10-6A,减小27.8%,即隧穿氧化层与衬底之间的界面态显著减少.因此,在SONOS工艺中增加适当的N2O退火工艺,能有效地优化存储器的存储能力,提高SONOS存储性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石艳玲	华东师范大学信息科学与技术学院	47	205	8.0	12.0
2	李曦	华东师范大学信息科学与技术学院	6	8	1.0	2.0
3	周群	华东师范大学信息科学与技术学院	5	4	2.0	2.0