Mg2SiO4-SiC复相材料的常压烧结及性能研究

• 作者: 丘泰 李晓云 杜磊 陆鑫翔
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 复相材料 Mg2Si04-SiC 常压烧结 氢气 显气孔率
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 8-10
• 分类号: TM28
• 字数: 2895字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2011.02.003

摘要

在1 500～1 600℃氢气气氛下常压保温1 h制备了Mg2SiO4-SiC复相材料,研究了烧结助剂[Al2O3+Y2O3](r(Al2O3:Y2O3)=5:3)添加量对该复相材料烧结性能的影响.结果表明:Mg2SiO4-SiC复相材料的相组成为Mg2SiO4,6H-SiC、Y3Al5O12,最佳烧结温度为1 550℃,当[Al2O3+Y2O3]质量分数从0到7%逐渐增加时,该复相材料的显气孔率明显减小并趋于平稳;w(Al2O3+Y2O3)=5%时显气孔率最低达到0.36%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丘泰	南京工业大学材料科学与工程学院	283	2308	22.0	31.0
2	李晓云	南京工业大学材料科学与工程学院	69	515	12.0	19.0
3	陆鑫翔	南京工业大学材料科学与工程学院	3	23	3.0	3.0
4	杜磊	南京工业大学材料科学与工程学院	2	12	2.0	2.0