基于ATLAS新型硅磁敏三极管特性仿真研究

• 作者: 修德军 温殿忠 潘东阳 王志强 赵晓锋
• 来源期刊: 黑龙江大学工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 新型硅磁敏三极管 仿真结构模型 磁灵敏度 ATLAS
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 电子工程与计算机科学
• 页码范围: 84-89
• 分类号: TN325.2
• 字数: 2689字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-008X.2011.04.017

摘要

通过分析矩形板状立体结构新型硅磁敏三极管基本结构、工作原理和特性,采用Silvaco的ATLAS软件建立新型硅磁敏三极管仿真结构模型,研究基区宽度、复合基区长度等几何结构参数对新型硅磁敏三极管I-V特性、磁电特性和温度特性的影响.仿真结果表明,新型硅磁敏三极管仿真结构模型具有正反向磁灵敏度、集电极电流具有负温度系数,与新型硅磁敏三极管实验特性比较,分析给出几何结构参数对新型硅磁敏三极管特性的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	温殿忠	黑龙江大学黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室	51	330	10.0	15.0
5	赵晓锋	黑龙江大学黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室	27	123	8.0	10.0
9	潘东阳	黑龙江大学黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室	1	3	1.0	1.0
10	王志强	黑龙江大学黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室	1	3	1.0	1.0
11	修德军	黑龙江大学黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室	1	3	1.0	1.0