溅射的Ti薄膜热氧化形成的TiO2薄膜与p+-Si形成的异质结的电致发光

• 作者: 张安邦 杨德仁 金璐 马向阳
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 二氧化钛 硅 异质结 电致发光
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 471-475
• 分类号: O482.31|TN304
• 字数: 2452字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20113205.0471

摘要

利用磁控溅射法以不同条件在重掺硼硅片(p+-Si)上制备Ti薄膜,经过一定条件下的热氧化转化为TiO2薄膜,从而形成TiO2/p+-Si异质结.研究表明:要使TiO2/p+-Si异质结产生显著的电致发光,其中的TiO2薄膜必须呈现单一的锐钛矿相,这就要求在较低的功率下溅射获得晶粒尺寸较小的Ti薄膜.此外,TiO2的薄膜厚度需要控制在合理的范围.文中对上述结果的物理机制进行了探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	金璐	浙江大学硅材料国家重点实验室	8	27	3.0	5.0
4	张安邦	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	7	1.0	1.0