硼源浓度对钛基掺硼金刚石薄膜生长的影响

• 作者: 刘峰 汪建华 熊礼威 王均涛 王文君 辛永磊
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硼浓度 掺硼金刚石薄膜 钛 微波等离子体化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 58-61
• 分类号: TB43
• 字数: 3247字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3660.2011.02.018

摘要

利用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)在钛基底上制备了掺硼金刚石(BDD)薄膜.研究了硼源浓度对BDD薄膜生长的影响.分别采用扫描电子显微镜,拉曼光谱,X射线衍射技术对薄膜的表面形貌、残余应力、择优取向及TiC含量进行了分析.结果表明,硼源浓度升高对金刚石薄膜(111)织构生长有促进作用;随着掺硼浓度的增加,TiC含量和晶粒尺寸皆减小,同时薄膜的张应力增大,缓解薄膜自身在制备过程中形成的压应力,从而更大程度上提高薄膜附着力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪建华	武汉工程大学等离子体化学与新材料重点实验室	123	698	14.0	19.0
2	熊礼威	武汉工程大学等离子体化学与新材料重点实验室	37	243	9.0	14.0
3	王文君	武汉工程大学等离子体化学与新材料重点实验室	2	7	2.0	2.0
4	王均涛		2	34	2.0	2.0
5	辛永磊		3	23	2.0	3.0
6	刘峰		3	12	2.0	3.0