硅基锗薄膜的异质外延生长及其在光电子器件中的应用

• 作者: 周志文 王瑞春 贺敬凯
• 来源期刊: 物理
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子学 异质外延 光电探测器 激光器 硅 锗
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 所属期刊栏目: 物理学和高新技术
• 页码范围: 799-806
• 分类号: TN304.24
• 语种: 中文

摘要

准直接带隙的锗，其禁带宽度小，吸收系数大，迁移率高，更重要的是，它能与硅微电子工艺兼容，在硅基光电集成中得到了广泛的研究和应用．文章综述了硅基锗薄膜的异质外延生长及其在光电子器件（特别是长波长光电探测器和激光器）应用上的进展；介绍了在硅衬底上异质外延生长锗薄膜的缓冲层技术，如组分变化的SiGe缓冲层技术、选区外延技术和低温技术；讨论了硅基锗薄膜光电探测器的性能与结构的关系以及发展趋势；分析了张应变和n型掺杂对锗光电性质的影响；展望了硅基锗薄膜单片集成和电抽运激光器的前景．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王瑞春	深圳信息职业技术学院电子通信技术系	41	114	6.0	8.0
2	贺敬凯	深圳信息职业技术学院电子通信技术系	13	39	4.0	6.0
3	周志文	深圳信息职业技术学院电子通信技术系	14	18	2.0	4.0