对n型Si外延片表面处理方法的研究

• 作者: 安静 张志勤 杨瑞霞 袁肇耿
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 外延片 电阻率 汞探针C-V测试仪 表面处理 紫外光
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 制造工艺技术
• 页码范围: 22-25
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2578字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.01.007

摘要

Si外延片是制造半导体器件和集成电路最常用的半导体材料.外延层电阻率是外延片最重要的参数之一,它直接影响器件的性能.简要分析了自动汞探针C-V测试仪测量电阻率前进行表面处理的原因,研究了不同的表面处理方法对电阻率测试结果的影响,发现对于外延层的电阻率P>1 Ω·cm的n型Si外延片,采用紫外光(UV)表面处理是一种合适的表面处理方法,该方法应用于实际生产测试过程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学信息工程学院	180	759	13.0	18.0
2	袁肇耿		8	36	4.0	6.0
3	张志勤		3	8	2.0	2.0
4	安静	河北工业大学信息工程学院	1	2	1.0	1.0