一种利用前馈电容改善瞬态响应的LDO

• 作者: 任国栋 冯有才 武钢 汪再兴 王永顺 王道斌
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 阱电容 反偏二极管 前馈电容 低压差线性稳压器 带宽
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 144-147
• 分类号: TN432
• 字数: 2341字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.02.013

摘要

LDO具有高的纹波抑制和低噪声特点,在低输入输出压差以及RF领域应用广泛.在负载电流变化范围大的情况下,动态补偿成为必然选择.基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,设计了一种利用MOS栅源电容实现动态补偿的LDO.采用反偏二极管模拟了寄生阱电容对系统稳定性的影响,并提出减小系统带宽、优化系统稳定性的方案.为了实现快速动态响应,设计前馈电容优化了系统.实验表明,设计的电路具有高PSRR和快速响应能力,适用于便携式设备供电.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王永顺	兰州交通大学电子与信息工程学院	35	128	7.0	9.0
2	王道斌	兰州理工大学理学院	37	66	5.0	6.0
3	任国栋	兰州理工大学理学院	7	26	3.0	5.0
4	汪再兴	兰州交通大学电子与信息工程学院	8	30	3.0	5.0
5	冯有才	兰州理工大学理学院	5	14	3.0	3.0
6	武钢	兰州理工大学理学院	1	7	1.0	1.0