磁控溅射制备ITO薄膜光电性能的研究

• 作者: 蔡长龙 马卫红
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 直流磁控溅射 ITO薄膜 工艺参数 光电特性
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 18-20
• 分类号: TN304.055
• 语种: 中文

摘要

采用直流磁控溅射方法在玻璃基底上制备了ITO薄膜.分别用分光光度计和四探针仪测试了所制备ITO薄膜在可见光区域内的透过率和电阻率,研究了溅射气压、氧氩流量比和溅射功率三个工艺参数对ITO薄膜光电性能的影响.研究结果表明,制备ITO薄膜的最佳工艺参数为:溅射气压0.6 Pa,氧氩流量比1:40,溅射功率108 W.采用此工艺参数制备的ITO薄膜在可见光区平均透过率为81.18％,薄膜电阻率为8.9197×10-3Ω·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡长龙	西安工业大学光电工程学院	82	319	8.0	14.0
2	马卫红	西安工业大学光电工程学院	40	311	10.0	16.0