M/HgI2接触特性分析

• 作者: 介万奇 李高宏 查刚强 许岗
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 碘化汞 电极 接触势垒 费米能级 钉扎 表面质量 欧姆特性
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 8-11
• 分类号: TN305.93
• 字数: 2788字
• 语种: 中文

摘要

利用不同的电极材料和制备方法制备了3种M/HgI2.采用热电子发射模型计算了相应的接触势垒.采用比接触电阻法、电极系数法和欧姆系数法对比了M/HgI2的欧姆接触特性.结果表明,C/HgI2、AuCl3/HgI2和Au/HgI2的接触势垒均约为0.9eV;C/HgI2和AuCl3/HgI2具有良好的欧姆特性,Au/HgI2的欧姆特性相对较差.分析认为,HgI2晶体表面费米能级的钉扎导致了相近的接触势垒.但由于电极制备工艺没有显著影响AuCl3/HgI2和C/HgI2晶体表面质量,因而具有良好的欧姆接触特性.由于溅射Au电极在制备工艺中的温度升高和真空度造成Au/HgI2晶体表面质量下降,因此其欧姆接触特性较差.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学材料学院	272	1636	19.0	27.0
2	李高宏	西安工业大学材料与化工学院	46	379	10.0	17.0
3	许岗	西安工业大学材料与化工学院	29	154	6.0	11.0
4	查刚强	西北工业大学材料学院	3	2	1.0	1.0