S波段宽带GaN芯片高功率放大器的应用研究

• 作者: 余振坤 刘登宝
• 来源期刊: 微波学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN HEMT 功率合成 宽带放大器
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 68-71
• 分类号: TN722.75
• 语种: 中文

摘要

介绍了一种采用阻抗匹配技术和功率合成技术相结合的方法,利用4只GaN HEMT功率芯片研制成功的S波段宽带、大功率、高功率密度放大器.具体的技术途径是通过预匹配技术提高芯片输入阻抗,运用切比雪夫匹配法实现宽带阻抗匹配,优化隔离电阻增加合成支路间的隔离度,同时提高电路的稳定性.放大器最终实现的性能指标是:脉宽300μs,占空比10%,S波段30%相对带宽内脉冲输出功率大于65W,附加效率大于45%.由此进一步表明了此类GaN芯片高功率放大器相对于Si和GaAs功率器件放大器在带宽和功率密度等性能上具有较大的优势并具有广阔的工程应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余振坤		10	122	6.0	10.0
2	刘登宝		1	39	1.0	1.0