InSb焦平面器件表面末处理技术研究

• 作者: 李明华 王海珍 耿东锋 郑克霖
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 焦平面器件 腐蚀 抗反射膜
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 96-99
• 分类号: TN215
• 字数: 1543字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.02.007

摘要

InSb焦平面器件经过减薄后,表面有细微的划痕,且存在一定厚度的损伤层,影响芯片性能.通过对InSb焦平面器件表面末处理工艺方法的探索,确定了器件抛光后,去除表面损伤层和表面溅射ZnS抗反射膜的工艺实施方案,有效地改善了器件的表面质量,提高了焦平面器件的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	耿东锋		2	8	1.0	2.0
2	王海珍		11	33	4.0	4.0
3	李明华		2	2	1.0	1.0
4	郑克霖		4	14	2.0	3.0