溅射环境下影响硅薄膜晶化的因素

• 作者: 田跃生
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 溅射环境 硅薄膜 晶化
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 62-64
• 分类号: TB43
• 字数: 2537字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3660.2011.03.017

摘要

基于溅射沉积和薄膜生长原理,系统综述分析溅射功率、沉积气压、衬底温度、衬底的选择等对硅薄膜晶化过程的客观影响规律,旨在为学术界和产业界基于溅射原理研发晶态硅薄膜、生产高效率硅基组件提供实验支持与理论参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田跃生		4	11	2.0	3.0