首款自主知识产权相变存储器芯片研制成功

• 来源期刊: 光学精密机械
• 学科: 工学
• 关键词: 自主知识产权 存储器芯片 相变存储器 中国科学院 产业化前景 信息技术 生产技术 研究所
• 年，卷（期）: gxjmjx,（2）
• 页码范围: 35-36
• 页数: 2页
• 分类号: TP333

摘要

从中国科学院上海微系统与信息技术研究所获悉，我国第一款具有自主知识产权的相变存储器（PCRAM）芯片研制成功，打破了存储器芯片生产技术长期被国外垄断的局面，产业化前景可观。