基质折射率对反常色散散射体散射特性的影响

• 作者: 庄申栋 徐庆君 田贵才 韦德泉
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 反常色散 Mie散射 散射强度 光学截面 SiC
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 1164-1168
• 分类号: O433.4
• 字数: 2501字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2011.06.031

摘要

基于Mie散射理论,给出了散射强度、散射截面及吸收截面的计算公式,并对不同基质中碳化硅材料在反常色散区中的散射特性进行了数值计算与理论分析.结果表明,在反常色散区中,随着基质折射率的增大,散射强度的峰位发生红移,峰值增大；散射截面和吸收截面的峰位发生红移,峰值减小,这为该材料在反常色散区中的光学理论、实验及应用方面提供了理论参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐庆君	枣庄学院光电工程学院	21	35	3.0	4.0
2	韦德泉	枣庄学院光电工程学院	37	57	5.0	5.0
3	田贵才	枣庄学院光电工程学院	31	63	5.0	6.0
4	庄申栋	枣庄学院光电工程学院	4	4	1.0	1.0