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摘要:
用等离子体浸没离子注入(PⅢ)对聚酰亚胺(PⅠ)薄膜进行表面改性处理,研究在不同注入时间条件下聚酰亚胺薄膜表面电性能的转变,并通过X光电子能谱(XPS)分析其转变的机理.结果表明,经等离子体浸没离子注入处理后,聚酰亚胺薄膜的表面电阻与未处理的样品比较下降了约6个数量级,而且没有时效性问题;XPS分析结果表明处理后样品表面的C、N元素含量增加,O元素含量减少,说日月样品表面受离子轰击发生了损伤,C=O、C-N键断裂,因此聚酰亚胺薄膜表面电阻下降主要是由薄膜表面发生碳化引起.
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文献信息
篇名 聚酰亚胺薄膜的等离子体浸没离子注入电性能转变
来源期刊 真空 学科 物理学
关键词 等离子体浸没离子注入 聚酰亚胺薄膜 电性能 表面电阻
年,卷(期) 2011,(2) 所属期刊栏目 薄膜
研究方向 页码范围 37-39
页数 分类号 O539
字数 2270字 语种 中文
DOI
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序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈惠敏 上海工程技术大学基础教学学院 13 31 3.0 5.0
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真空
双月刊
1002-0322
21-1174/TB
大16开
辽宁省沈阳市万柳塘路2号
8-30
1964
chi
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