基于GaAs STATZ模型的RF MOSFET DC建模技术

• 作者: 李寿林 程加力 翟国华 韩波 高建军
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 等效电路模型 参数提取 射频MOSFET GaAs STATZ模型 直流模型
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 591-594,603
• 分类号: TN386
• 字数: 2101字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.08.004

摘要

STATZ模型是表征GaAs MESFET特性的常用模型,具有表达式简洁、参数少的优点.通过尝试将STATZ模型用于表征射频MOSFET的直流特性,提取并在ADS软件中优化了STATZ直流模型的参数.为了提高仿真精度,模型必须考虑晶体管漏极与源极的寄生电阻,根据MOSFET处于强反型区且漏-源电压为零时的等效电路模型提取了晶体管的漏极和源极的寄生电阻.在ADS软件中利用STATZ模型对MOSFET的直流特性进行了仿真,测量的MOSFET直流曲线与仿真曲线一致性很好,验证了模型的良好的精确度,证明了GaAs STATZ模型可以用于表征射频MOSFET的直流特性.晶体管采用中芯国际的0.13 μm RF CMOS工艺制作.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩波	华东师范大学信息科学技术学院	6	30	3.0	5.0
2	程加力	华东师范大学信息科学技术学院	2	7	2.0	2.0
6	李寿林	华东师范大学信息科学技术学院	1	3	1.0	1.0
7	翟国华	华东师范大学信息科学技术学院	2	16	2.0	2.0