磁控溅射AlN∶Mg/ZnO∶Al异质结二极管及其光电特性的研究

• 作者: 李国栋 李鹏 祁康成 赵启义
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 AlN∶Mg薄膜 AZO薄膜 异质结二极管
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 485-488
• 分类号: TN304.2
• 字数: 1881字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2011.05.001

摘要

利用磁控溅射方法,在ITO玻璃基底上分别溅射镁掺杂的氮化铝(AlN∶Mg)薄膜、铝掺杂的氧化锌(ZnO∶Al或AZO)薄膜,成功制备AlN∶Mg/ZnO∶Al透明异质结二极管.实验结果表明:AlN∶Mg/ZnO∶Al异质结具有明显的Ⅰ-Ⅴ整流特性,正向开启电压1V左右,在氙灯光照下,二极管的反向电流在5V偏置时达到3mA.二极管在可见光区域的平均透过率在80％以上,适用于太阳电池的窗口层的研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祁康成	电子科技大学光电信息学院	65	340	10.0	14.0
2	李国栋	电子科技大学光电信息学院	5	15	2.0	3.0
3	赵启义	电子科技大学光电信息学院	6	53	3.0	6.0
4	李鹏	电子科技大学光电信息学院	8	37	2.0	6.0