应变Si／（001）Si1-x Gex电子迁移率

• 作者: 安久华 宋建军 张鹤鸣 王冠宇 王晓艳 马建立
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电子谷间占有率 散射模型 锗组分 电子迁移率
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 618-624
• 分类号: TN304.23
• 语种: 中文

摘要

依据离化杂质散射、声学声子散射和谷间散射的散射模型，在考虑电子谷间占有率的基础上，通过求解玻尔兹曼方程计算了不同锗组分下，不同杂质浓度时应变si／（001）Si1-x Gex的电子迁移率．结果表明：当锗组分达到0．2时，电子几乎全部占据△：能谷；低掺杂时，锗组分为0．4的应变si电子迁移率与体硅相比增加约64％；对于张应变SiNMOS器件，从电子迁移率角度来考虑不适合做垂直沟道．选择相应的参数，该方法同样适用于应变si其他晶面任意方向电子迁移率的计算，为应变si器件、电路的设计提供了一定的设计依据．