原文服务方: 原子能科学技术       
摘要:
为避免集成电路正面金属层对激光的阻挡,采用背面照射的方法对非加固SRAM IL-2和加固SRAM 1020-2进行了单粒子效应实验.对脉冲激光背面照射实验的相关问题进行了探讨.比较了两种器件产生单个位翻转的有效激光阈值能量,验证了器件加固措施的有效性.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 脉冲激光背照射单粒子效应实验研究
来源期刊 原子能科学技术 学科
关键词 单粒子效应 SRAM 背面辐照 脉冲激光 抗辐射加固
年,卷(期) 2011,(7) 所属期刊栏目 技术及应用
研究方向 页码范围 884-887
页数 分类号 TN386
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 曹洲 兰州空间技术物理研究所真空低温技术与物理国家级重点实验室 14 60 4.0 7.0
2 刘海南 中国科学院微电子研究所 14 32 3.0 5.0
3 王德坤 兰州空间技术物理研究所真空低温技术与物理国家级重点实验室 1 4 1.0 1.0
4 杨献 中国科学院微电子研究所 2 5 1.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
单粒子效应
SRAM
背面辐照
脉冲激光
抗辐射加固
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
原子能科学技术
月刊
1000-6931
11-2044/TL
大16开
北京275信箱65分箱
1959-01-01
中文
出版文献量(篇)
7198
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