纳米折叠InGaN／GaNLED材料生长及器件特性

• 作者: 万尾甜 刘宗顺 唐成春 张书明 朱建军 沈俊 谭小动 赵德刚 郝秋艳 陈贵锋
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米柱LED 光致发光 电致发光
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：结构、力学和热学性质
• 页码范围: 508-511
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文

摘要

在以自组织Ni纳米岛为掩膜制作的n-GaN纳米柱上，利用MOCVD方法外延生长了具有折叠InGaN／GaN多量子阱（MQW）的LED结构外延片，进而制作了LED器件．外延片上中下游的光致荧光测试，结果表明外延片具有很好的均匀性．用该外延片制作的LED的电致发光谱，随注入电流增加没有明显蓝移，这表明纳米结构能更好地释放应力，纳米柱上外延生长的多量子阱，具有较低的压电极化电场．正向工作电流20mA时，LED器件的工作电压为4．6V．