热处理工艺对超声电沉积制备CuInSe2薄膜的影响

• 作者: 聂小明 邹正光 陈壁滔 龙飞
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CuInSe2 超声电沉积 热处理温度 保温时间 升温速率
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 119-123
• 分类号: TQ132.35
• 字数: 2579字
• 语种: 中文

摘要

采用三电极系统,在超声辅助下,以Mo薄片为柔性基底制备了CuInSe2(CIS)前驱体薄膜,经热处理得到了具有黄铜矿型晶体结构的CIS薄膜.研究了热处理温度,保温时间和升温速率对CuInSe2薄膜成分、物相及形貌的影响.结果表明:热处理使薄膜物相变得纯净,随着热处理温度的提高、保温时间的延长和升温速率的减慢,结晶度提高.温度过高、时间过长制备的CIS薄膜表面有大颗粒出现以至表面粗糙度增加、颗粒不均匀.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龙飞	桂林理工大学有色金属材料及其加工新技术教育部重点实验室	43	259	7.0	15.0
2	邹正光	桂林理工大学有色金属材料及其加工新技术教育部重点实验室	46	248	7.0	14.0
3	陈壁滔	桂林理工大学有色金属材料及其加工新技术教育部重点实验室	2	19	1.0	2.0
4	聂小明	桂林理工大学有色金属材料及其加工新技术教育部重点实验室	2	19	1.0	2.0