SiGe HBT发射区台面自中止腐蚀技术研究

• 作者: 刘英坤 杨瑞霞 贾素梅 辛启明 邓建国
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe/Si 异质结晶体管 台面结构 干法刻蚀 自中止腐蚀 腐蚀条件
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 所属期刊栏目: 制造工艺技术
• 页码范围: 689-692
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2192字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.09.009

摘要

台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中,发射区台面形成尤为关键.由于干法刻蚀速率难以精确控制,且易损伤SiGe外基区表面,SiGe自中止湿法腐蚀成为台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中的优选工艺.分析了SiGe自中止腐蚀的反应机理,对腐蚀条件包括掩蔽膜的选取,温度、超声等因素对腐蚀速率及均匀性的影响进行摸索,取得了较好结果,最终采用该技术完成了SiGe/Si npn型异质结晶体管的制作,测得其电流增益β＞80,对采用台面结构制造SiGe/Si HBT具有一定参考价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学信息工程学院	180	759	13.0	18.0
2	邓建国	中国电子科技集团公司第十三研究所	19	45	4.0	5.0
3	刘英坤	中国电子科技集团公司第十三研究所	30	183	8.0	12.0
4	贾素梅	河北工业大学信息工程学院	15	31	3.0	5.0
6	辛启明	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	20	1.0	2.0