CdSe量子点的制备及其痕量汞离子的测定

• 作者: 周磊 张勇 李建华 李英
• 来源期刊: 化学工程师
• 学科: 化学
• 关键词: CdSe 量子点 荧光猝灭 汞离子 痕量
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 分析测试
• 页码范围: 21-23,41
• 分类号: O657.3
• 字数: 2540字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-1124.2011.03.008

摘要

以巯基乙醇为稳定剂在水溶液中制备了CdSe量子点,分别考察了还原剂硼氧化钾、硒粉、氯化镉、巯基乙醇的用量和pH值等因素的影响,并以该量子点为探针,建立了荧光猝灭法测定痕量Hg2+的分析方法.结果表明,在最佳实验条件下,反应时间为25min、量子点浓度为5.0×i0-5mol·L-1、pH值为7.0左右.Hg2+在1.0×10-6～8.0× 10-8mol·L-1的浓度范围内对CdSe量子点有较强的猝灭作用,测定结果令人满意,且该方法具有较高的灵敏度和较宽的线性范围,体系的相对荧光强度与Hg2+浓度的线性方程:IF0/IF=1.135+0.00357p,线性回归系数r=0.9970.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张勇	成都理工大学材料与化学化工学院	50	619	15.0	22.0
2	李英	成都理工大学材料与化学化工学院	4	16	2.0	4.0
3	李建华	成都理工大学材料与化学化工学院	4	16	2.0	4.0
4	周磊	成都理工大学材料与化学化工学院	10	50	3.0	7.0