SiO2在真空低价氟化法炼铝过程的分布

• 作者: 刘永成 戴永年 李秋霞 杨斌 荆碧
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铝冶金 真空 歧化反应 二氧化硅 行为
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 真空冶炼
• 页码范围: 490-494
• 分类号: TF13|TF821
• 字数: 3579字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2011.04.21

摘要

热力学研究得出:当系统残余压力为100～10 Pa时,Si02与碳反应在1465～ 1353 K以上即可生成Si和CO;在1329～ 1225 K以上即可生成SiC和CO; Si02和还原剂碳及氟化铝在1464～ 1353 K以上反应生成SiF4和CO及铝.实验考察了真空低价氟化法炼铝过程中Si02的分布.XRD表明:Si02在低价氟化法炼铝过程中有五种走向:(1)被还原成SiC,存在于残渣相；(2)被还原为单质硅,再与还原出的铁生成硅铁,存在于残渣相；(3)Si02与冰晶石生成铝硅酸盐进入气相中；(4) Si02与冰晶石生成气态SiF4,再与冰晶石分解的氟化钠形成Na2SiF6进入冷凝相；(5)形成气态低价氧化硅,再在合适温度下分解为单质硅进入冷凝相.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李秋霞	云南师范大学化学化工学院	21	108	7.0	9.0
5	刘永成	昆明理工大学真空冶金国家工程实验室	20	120	7.0	10.0
6	杨斌	云南师范大学化学化工学院	23	50	5.0	5.0
7	荆碧	云南师范大学化学化工学院	14	37	3.0	5.0
8	戴永年	云南师范大学化学化工学院	1	3	1.0	1.0