fT=140GHz,fmax=200GHz的超高速InP DHBT

• 作者: 刘跳 李献杰 蔡道民 赵永林 郝跃 高向芝
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 双异质结双极晶体管(DHBT) 缓变层 发射极-基极自对准 空气桥 侧向腐蚀
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 743-746
• 分类号: TN322.8|TN304.2
• 字数: 2463字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.10.002

摘要

InP/InGaAs/InP DHBT具有频带宽、电流驱动能力强、线性好、相位噪声低和阈值电压一致性好等优点成为研究热点.通过优化外延材料结构设计和采用四元InGaAsP缓变层消除集电结电流阻塞效应；改进发射极-基极自对准工艺和集电区台面侧向腐蚀工艺,降低Rb和Cbc乘积；优化PI钝化工艺和空气桥互联等工艺,实现了发射极面积为2μm×10μm的自对准InP/InGaAs/InP DHBT器件,其直流增益β约为25,击穿电压BVCEO≥7 V@ 10 μA,在VCE =4V,Ic=10 mA下,截止频率fT=140 GHz,最高振荡频率fmax=200 GHz,优于同一外延片上的非自对准InP DHB器件,该器件将可应用于高速光通信和微波毫米波通信.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子学院	312	1866	17.0	25.0
2	赵永林	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	39	3.0	5.0
3	刘跳	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	7	2.0	2.0
4	李献杰	中国电子科技集团公司第十三研究所	19	74	6.0	7.0
5	蔡道民	中国电子科技集团公司第十三研究所	13	43	3.0	6.0
9	高向芝	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	5	2.0	2.0