基于MOS开关的高频高压脉冲源中电磁兼容问题研究

• 作者: 朱会柱 汪秀 袁斌
• 来源期刊: 电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电磁兼容 高压脉冲源 屏蔽 滤波
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 电子技术设计与应用
• 页码范围: 34-36
• 分类号: TN78
• 字数: 1740字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0755.2011.03.013

摘要

本文研究了基于MOS固态开关的高频高压脉冲源中的电磁兼容问题,通过分析其干扰信号频谱分布及传播路径,制定了以屏蔽和滤波为主的电磁兼容方案,最终实现了重复频率80kHz,4kV脉冲源,实验验证了电磁兼容措施的有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁斌	上海交通大学电子信息与电气工程学院	35	74	4.0	6.0
2	朱会柱	上海交通大学电子信息与电气工程学院	4	7	2.0	2.0
3	汪秀	上海交通大学电子信息与电气工程学院	3	7	2.0	2.0