功率VDMOSFET核心工艺参数的优化研究

• 作者: 姜维宾 张礼 李东华 李惠军 赵志桓 韩希方
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 功率 优化 仿真 工艺参数 可制造性设计 验证
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 所属期刊栏目: 制造工艺技术
• 页码范围: 693-696
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1753字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.09.010

摘要

依据垂直双扩散场效应晶体管(VDMOSFET)的结构设计及参数要求,使用新一代Sentaurus系列TCAD工具对分立器件VDMOSFET进行分析.通过此工具可以对VDMOSFET的工艺结构级和半导体器件物理特性级进行可制造性设计及验证.本工作重点分析了能够影响功率VDMOSFET导通电阻、阈值电压等各种因素及其之间的关系,对沟道区、p+区和n+源区掺杂浓度,以及注入后的退火温度和时间等工艺参数进行优化设置.结果表明,通过使用Sentaurus系列TCAD工具对VDMOSFET器件进行模拟与分析所得出的参数能够达到IR公司的IRF140的设计水平.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李惠军	山东大学信息科学与工程学院	51	103	5.0	7.0
2	李东华		3	0	0.0	0.0
3	赵志桓		1	0	0.0	0.0
4	姜维宾		1	0	0.0	0.0
5	韩希方		1	0	0.0	0.0
6	张礼		1	0	0.0	0.0