CIS薄膜太阳能电池吸收层用高纯CuInSe2块体材料的制备

• 作者: 伍祥武 谢元锋 黄小珂
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 高纯 梯度合成 CuInSe2块体 烧结
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 515-519
• 分类号: TM914.4
• 字数: 2871字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2011.04.008

摘要

以Cu,In,Se为原料制备了高纯CuInSe2块体材料.分别采用熔盐净化-电解-区域熔炼工艺和真空蒸馏-区域熔炼联合工艺对原料In,Se进行提纯,可获得纯度99.9999%In和99.9995%Se.采用多室真空梯度合成工艺,制备出纯度大于99.999%的CuSe、In2Se3中间化合物.将其破碎混匀后压制烧结,合成出的块体材料成分均匀、纯度大于99.999%.XRD分析表明,块体相结构为CuInSe2相.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄小珂		13	16	2.0	3.0
2	伍祥武		9	26	3.0	4.0
3	谢元锋		12	93	5.0	9.0