CMP材料去除机制的研究进展

• 作者: 蒋建忠 袁晓林 赵永武
• 来源期刊: 润滑与密封
• 学科: 工学
• 关键词: 机械化学抛光 材料去除机制 模型 芯片
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 综述与分析
• 页码范围: 101-105,121
• 分类号: TG115.58|O484.4
• 字数: 5862字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-0150.2011.05.024

摘要

CMP已成为IC制造中的关键工艺之一,其材料去除机制及理论模型的研究已经成为当前CMP研究的热点.综述基于流体润滑、磨粒磨损、化学作用、原子/分子去除等不同机制的集成电路芯片化学机械抛光(CMP)材料去除率的理论模型的研究现状和进展,分析和比较基于不同假设的理论模型,展望CMP材料去除机制研究的未来发展方向.CMP理论真正应用于实际生产指导,许多影响因素的定量研究还要细化,抛光盘的黏弹性和抛光液的流体动力学性能对CMP过程的影响还需深入研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋建忠	江南大学机械工程学院	17	305	8.0	17.0
2	袁晓林		9	59	6.0	7.0
3	赵永武	江南大学机械工程学院	117	687	12.0	21.0