超深亚微米工艺下预防串扰方法

• 作者: 廖春连 曹纯 李斌 赵一诗
• 来源期刊: 无线电通信技术
• 学科: 工学
• 关键词: 超深亚微米 串扰噪声 同步开关噪声 预防
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 综合电子信息技术
• 页码范围: 42-44
• 分类号: TN431.2
• 字数: 3293字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-3114.2011.02.013

摘要

随着工艺特征尺寸的不断缩小,芯片的信号完整性问题逐渐恶化.根据超深亚微米(ultra-deep submicron,UDSM)工艺特性,阐述了串扰噪声和同步开关噪声(Simultaneous Switch Noise,SSN)的产生机理以及对芯片信号完整性的影响,并且分析了走线密度、时钟频率和供电布局等与这2类噪声强度相关的主要因素,进而得出了在集成电路版图设计早期,有效预防和抑制信号完整性问题的一系列方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	中国电子科技集团公司第五十四研究所	89	251	10.0	12.0
2	曹纯	中国电子科技集团公司第五十四研究所	8	23	2.0	4.0
3	廖春连	中国电子科技集团公司第五十四研究所	6	15	2.0	3.0
4	赵一诗	哈尔滨工业大学电子与信息工程学院	2	14	2.0	2.0