GaAs阴极激活氧源获得技术研究

• 作者: 徐江涛 徐珂
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs阴极 激活 氧源 过氧化钡 负电子亲合势
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 工艺与应用
• 页码范围: 50-52
• 分类号: TN383
• 字数: 2215字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2011.01.014

摘要

为满足制备GaAs阴极高灵敏度的需要,对三种获得高纯氧的方法进行了试验研究.结果表明,膨胀法进氧纯度最低,银管渗氧纯度高于80%,过氧化钡氧纯度最高,可高达90%.经阴极激活证明,用过氧化钡氧源制成的三代管内阴极灵敏度最高,是获得负电子亲合势高灵敏度阴极的最佳氧源.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐江涛		7	7	2.0	2.0
2	徐珂		3	1	1.0	1.0