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用于射频标签的低功耗上电复位电路
用于射频标签的低功耗上电复位电路
作者:
张旭琛
彭敏
戴庆元
杜涛
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
上电复位
低功耗
射频识别
0.13 μm
互补金属氧化物半导体
摘要:
介绍了一种用于射频标签芯片中数字逻辑部分的上电复位电路.该上电复住电路适应于低电源电压的芯片,改变MOS晶体管的参数以及延迟时间可以调节脉冲的宽度和数字门电路加宽脉冲的宽度,通过反馈管,电路能够抵抗比较大的电源电压噪声影响.电路产生上电复位信号脉冲后,通过反馈控制使能端信号关断整个电路,实现低功耗.电路采用华虹NEC公司0.13μm标准CMOS工艺流片,测试结果表明,此电路能够输出有效的脉冲信号;脉冲过后的导通电流基本为0.FPGA平台的验证表明,芯片输出的POR信号能够正确启动标签中的数字基带芯片,输出信号有效.
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射频接收前端
低电压
低功耗
动态阈值电压
开关跨导型混频器
内容分析
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引文网络
相关学者/机构
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文献信息
篇名
用于射频标签的低功耗上电复位电路
来源期刊
半导体技术
学科
工学
关键词
上电复位
低功耗
射频识别
0.13 μm
互补金属氧化物半导体
年,卷(期)
2011,(1)
所属期刊栏目
集成电路设计与应用
研究方向
页码范围
45-48
页数
分类号
TN710
字数
2293字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1003-353x.2011.01.012
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
戴庆元
上海交通大学微米纳米加工技术国家级重点实验室
65
299
10.0
13.0
2
杜涛
上海交通大学微米纳米加工技术国家级重点实验室
6
56
3.0
6.0
3
张旭琛
上海交通大学薄膜与微细技术教育部重点实验室
2
7
1.0
2.0
4
彭敏
上海交通大学薄膜与微细技术教育部重点实验室
3
10
2.0
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研究主题发展历程
节点文献
上电复位
低功耗
射频识别
0.13 μm
互补金属氧化物半导体
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
开本:
大16开
出版地:
石家庄179信箱46分箱
邮发代号:
18-65
创刊时间:
1976
语种:
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
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