PI/AIN纳米复合薄膜结构与介电性能研究

• 作者: 冯宇 刘晓旭 李广 殷景华 田付强 雷清泉
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: 聚酰亚胺 氮化铝 小角散射 介电常数 体积电阻率
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 性能研究
• 页码范围: 21-24
• 分类号: TM215.3|TQ323.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-9239.2011.06.006

摘要

采用原位聚合法制备了聚酰亚胺/氮化铝(PI/AlN)纳米复合薄膜,用小角散射(SAXS)、扫描电镜(SEM)对薄膜进行表征,研究了不同纳米掺杂量对材料电阻率、介电常数(ε)和介质损耗因数(tanδ)的影响.结果表明,随着纳米AlN含量的增加,分形结构由质量分形转变为表面分形,当AlN含量为1％时,复合薄膜的介电常数达到最低值,电阻率提高了一个数量级；介质损耗在低频范围内明显增加；AlN的掺杂提高了纳米复合薄膜的绝缘性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	殷景华	哈尔滨理工大学应用科学学院	74	301	9.0	12.0
5	雷清泉	哈尔滨理工大学教育部工程电介质及其应用重点实验室	83	1178	20.0	30.0
6	李广	哈尔滨理工大学应用科学学院	1	11	1.0	1.0
7	刘晓旭	哈尔滨理工大学应用科学学院	4	30	3.0	4.0
8	冯宇	哈尔滨理工大学教育部工程电介质及其应用重点实验室	5	12	1.0	3.0
9	田付强	哈尔滨理工大学教育部工程电介质及其应用重点实验室	2	11	1.0	2.0