1.2～1.4 GHz 300 W宽带硅大功率双极晶体管研制

• 作者: 刘英坤 徐守利 潘茹 胡顺欣 邓建国 黄雒光
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 L波段 微波脉冲 功率晶体管 亚微米
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 355-358
• 分类号: TN322.8|TN323.4
• 字数: 2982字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.05.005

摘要

介绍了L波段300 W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果.采用大面积亚微米精细线条阵列加工技术、深亚微米浅结制备工艺技术、均匀热分布技术、双层金属化技术等工艺技术,研制出了L波段300 W宽带硅微波脉冲大功率晶体管.器件在1.2～1.4 GHz频带内,脉冲宽度150μs,占空比10%,工作电压40 V条件下,全频带内输出功率大于300 W,功率增益大于8.75 dB,集电极效率大于55%,并具有良好的可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡顺欣	中国电子科技集团公司第十三研究所	9	21	3.0	4.0
2	邓建国	中国电子科技集团公司第十三研究所	19	45	4.0	5.0
3	刘英坤	中国电子科技集团公司第十三研究所	30	183	8.0	12.0
4	潘茹	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	22	2.0	4.0
5	黄雒光	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	13	2.0	3.0
6	徐守利	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	2	1.0	1.0