ZnMgO/n-ZnO/ZnMgO/p-GaN异质结LED的紫外电致发光

• 作者: 吕有明 宿世臣
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO GaN ZnMgO 电致发光
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 821-824
• 分类号: O482.31|TN383.1
• 字数: 2135字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20113208.0821

摘要

利用等离子体辅助分子束外延( P-MBE)技术制备了ZnMgO/n-ZnO/ZnMgO/p-GaN异质结LED.Ni/Au电极与p-GaN、In电极与ZnMgO之间都形成了良好的欧姆接触.在ZnMgO/n-ZnO/ZnMgO/p-GaN异质结器件中观察到了明显的整流特性.异质结的电致发光强度随着注入电流的增大而逐渐增强.室温下在注入电流为20mA时,电致发光光谱由位于370 nm和430 nm的两个发光峰构成.通过异质结的电致发光光谱与ZnO和GaN材料的光致发光光谱相比较确认:位于370 nm的发光来源于ZnO的自由激子,这主要是利用了ZnMgO/ZnO/ZnMgO的双异质结结构,这种双异质结结构能够阻挡ZnO中的电子进入GaN中,而GaN中的空穴可以进入到ZnO层中.盖层的ZnMgO作为一个限制层,能够提高载流子的复合效率,从而实现ZnO异质结的室温电致激子发光.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宿世臣	华南师范大学光电子材料与技术研究所	10	25	3.0	5.0
2	吕有明	深圳大学材料科学与工程学院	12	27	3.0	4.0