功能-结构一体化NiCr/NiSi薄膜热电偶的制备

• 作者: 于浩 刘兴钊 唐磊 张万里 王从瑞 蒋洪川 陈寅之
• 来源期刊: 测控技术
• 学科: 工学
• 关键词: NiCr/NiSi薄膜热电偶 时效处理 Seebeck系数 相对灵敏度
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 所属期刊栏目: 仪表与传感器
• 页码范围: 1-4
• 分类号: TP212.1
• 字数: 2170字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-8829.2011.10.001

摘要

采用多层薄膜结构制备了NiCr/NiSi薄膜热电偶,该薄膜热电偶依次由Ni基超合金基片、NiCrAlY过渡层、Al2O3热氧化层、Al2O3绝缘层、NiCr/NiSi薄膜热电偶层以及Al2O3保护层构成.主要研究了热电偶层薄膜厚度和时效处理对热电偶性能的影响以及温度对Al2O3绝缘层绝缘性的影响.静态标定结果表明,热电偶层厚度对NiCr/NiSi薄膜热电偶性能几乎没有影响.时效处理可显著提高NiCr/NiSi薄膜热电偶的热电性能和相对灵敏度.所制备的NiCr/NiSi薄膜热电偶的Seebeck系数达到37μV/K,最大相对灵敏度达到0.9左右.Al2O3绝缘层在垂直方向的绝缘性随温度的升高而降低,在室温至300℃范围内,Al2O3绝缘层在垂直方向的绝缘电阻大于100 MΩ,当温度升高到900℃时,Al2O3绝缘层在垂直方向的绝缘电阻下降为16 kΩ.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋洪川	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	74	586	12.0	19.0
2	张万里	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	142	705	13.0	17.0
3	刘兴钊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	56	310	9.0	14.0
4	陈寅之	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	26	2.0	2.0
5	王从瑞	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	16	1.0	1.0