S波段T/R组件用GaN功率放大器链的设计

• 作者: 刘珊 姚小江 施鹤年 胡永芳 谢武涛 赵亮
• 来源期刊: 现代雷达
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMT器件 T/R组件 混合集成电路 高功率放大器 S波段
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 所属期刊栏目: 天馈伺系统
• 页码范围: 56-57,61
• 分类号: TN325.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-7859.2011.08.014

摘要

基于Si村底AlGaN/GaN HEMT器件的功率放大器链是下一代S波段相控阵雷达T/R组件的核心部分.研制的S波段放大器链主要由驱动放大器和功率放大器组成,驱动放大器与功率放大器都是基于Si衬底AlGaN/GaN HEMT器件的混合集成电路.基于混合集成电路的放大器链获得了高的输出峰值功率和附加功率(PAE),整个放大器链输出功率在800 MHz频率范围内大于20W,附加效率(PAE)大于50％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施鹤年		3	4	1.0	2.0
2	赵亮		4	7	2.0	2.0
3	胡永芳		19	99	5.0	9.0
4	谢武涛		2	10	2.0	2.0
5	姚小江		1	3	1.0	1.0
6	刘珊		1	3	1.0	1.0